Teknoloji dünyasının başarılı isimlerinden Intel, yeni üretim teknolojileri ile 3nm ve sonrasına geçiş yapmak adına planlar kurarken verimlilik ve 3D ön bellek konusunda müşterilerine farklı çözümler sunacak. Son dönemlerde yaşanan küresel çip krizi ve aynı zamanda tüm dünyayı saran enflasyon nedeniyle yenilik geliştirmede duraksamalar olacağı ve Moora yasasının kaldırılacağı iddialarının aksine Intel yasayı devam ettirmek konusunda kararlıdır.
Moore yasası uygulanmaya devam edecek
Yeni üretim süreçleri ile ilgili rakip firmalardan oldukça geride kalan ve TSMC ile üretim ortaklığı yapmak zorunda kalan Intel, 8 yıl içerisinde önemli çalışmalara yaparak yeniden rekabet içerisinde yer almayı amaçlıyor. Intel konuyla ilgili yapmış olduğu açıklamada Moore yasasını devam ettirmek için 2030 yılına kadar yeni bir program geliştireceklerini açıkladı. Söz konusu bu program transistör yoğunlukları 10 kat artış gösterirken 3 atom kalınlığında yenilikçi materyaller yer alacak.
Silikon malzemelerin kısıtlamalarını ortadan kaldırmak için dökümcüler farklı materyaller üzerinde testler yaparken verimliliği artırmak adına yeni dizilim yollarını tercih ediyor. Samsung ve TSMC bu yeni süreçlerde birden fazla nano bağlantı noktasını yan yana değil istifleme sistemi şeklinde dizen GAA teknolojisi üzerinde çalışmıştı. Intel ise bu noktada 4 ve 3 nm süreçlerine kadar bağlantı noktalarını yan yana olacak şekilde dizme tekniğini kullanırken sonrasında ise GAA tekniğini kullanmayı planlıyor. Aynı zamanda PowerVia arka kısımda güç dağıtım teknolojisi ve buna ek olarak RibbonFET teknolojisi ile de verimlilik artırılacak.
Diğer taraftan ise Ryzen 3D tekniği ile benzer bir şekilde transistörlerin üzerinde ferroelektrik kapasitörler ile bellek konumlandıran FeRAM teknolojisi, çok daha verimli bir şekilde güç aktarımını gerçekleştirecek. 300 mm’lik yonga seti üzerine ise GaN tekniği de yakın bir zamanda Intel müşterilerinin kullanımına sunulacak.
Yorum Yok
